（ANSYS能否计算含有第二相颗粒复合材料的屏蔽效能
我想请教ANSYS能否计算含有第二相颗粒复合材料的屏蔽效能（例如：金属纤维（5％体积份额）填充的树脂基复合材料、石墨（5％体积份额）填充PVC（聚氯乙烯）复合材料等），低频、高频下的求解思路是否相同，如果可以怎样计算（复合材料微观组织结构的建模已完成）。非常感谢！微结构模型图片如下(中间部分为复合材料模型)：[img]file:///D:/汇报材料/报告20080616/未命名.JPG[/img]
[[i] 本帖最后由 linken_zy 于 2008-7-7 17:35 编辑 [/i]] 该材料的材料属性如何？
材料的屏蔽能力，在高频时，取决于材料的电导率，电导率越大，屏蔽效果越好。
低频时，对磁场的屏蔽，取决于材料的磁导率，磁导率越大，屏蔽效果越好。
感谢infrom回复，并附详细说明
十分感谢斑竹回复！模型为复合材料三维微观组织结构：
基体材料为聚丙烯塑料：
mp,murx,2,1 ! 定义相对导磁率
mp,perx,2,2.05 ! 定义相对介电常数
MP,RSVX,2,1.0361e5 !定义电阻率系数
第二相颗粒为石墨：
mp,murx,1,1 ! 定义相对导磁率
mp,perx,1,12 ! 定义相对介电常数
MP,RSVX,1,8e-6 ！定义电阻率系数
问题是：怎样用ANSYS求解这种材料对低、中、高全频段电磁波的屏蔽效能？ 我现在尝试在ANSYS高频电磁场分析中，选用矩形波导模型求解这个问题，计算原理就是将含第二相颗粒的片状屏蔽体垂直的插入矩形波导中，计算插入前后场量的变化比值。但是求解出现了很多问题。 什么问题？
我觉得你的想法可行 因为屏蔽复合材料中第二相组成物的尺寸非常小（微米级），这就要求模型尺寸非常小才能增大第二相的体积份额，如果模型尺寸过大，要达到工程实际中加入第二相的体积份额，需要仿真的第二相数量会非常大，计算机难以计算，（例如：在5mm×2.5mm×1mm的屏蔽体片中加入直径10微米，长400微米的石墨颗粒，当颗粒的体积份额达到％1时，颗粒数量超过6000个，这个数量建模、划分网格都很困难）但是对于矩形波导：
当工作波长大于2a时，矩形波导中不能传播任何电磁波
由此可见：要减小a的尺寸→就要减小波长→就要增大工作频率。例如a＝1.5m时，波长要小于3m，能够加载的电磁波频率就要至少在100MHz以上，所以我们只能分析屏蔽体对100MHz以上电磁波的屏蔽效能
因此分析过程中设定a＝5mm，b＝2.5mm，长11mm，屏蔽体a＝5mm，b＝2.5mm，长1mm。这样，分析波长必须小于10mm，所以只能分析屏蔽体对30GHz以上电磁波的屏蔽效能，而实际
需要分析100MHz至3000GHz频段的电磁屏蔽效能，显然现在这个思路不能很好的解决问题。 现在的感觉是有点盲人摸象，怎样才能计算一个很小的复合材料屏蔽片（毫米、微米级）在全频段的屏蔽效能？仍然没有一个好的想法。 高频电磁场分析模块主要用于：当信号波长小于模型的几何尺寸或与模型的几何尺寸差不多时，而我现在模拟的屏蔽体尺寸非常小（毫米、微米级），其实等于是为了建模简单取了一整块复合材料上的一小块作为RVE（具有微观组织结构代表性的单元块），又因为30GHz以下的电磁波波长都大于10mm，也就是比模型尺寸大至少一个数量级，这样的话，分析对30GHz以下电磁波的屏蔽问题是不是可以不用高频分析模块，直接在低频分析模块中设计一个方案？如果可以，这个方案又应该怎样设计？ 专家们，能不能给点建议，目前还是没有进展！ 有没有高频电磁场方面的高手，请看看此贴 100 MHz 波长 3 米，所以需要分析100MHz至3000GHz频段的电磁屏蔽效能，波长范围 3米~0.1毫米
你的石墨颗粒是微米量级，应该可以按照静态计算
再次请教perch88
感谢回复，但是不好意思，学校的网络不好，今天才能上simwe言归正传。请问按照您所说的静态计算，对于一个如我在八楼所述的材料RVE，边界条件和载荷怎么施加？是运用低频分析模块吗？用标量法、矢量法还是棱边单元法更好呢？
现在很迷惑，ANSYS到底能否分析材料微观组织结构（简化成一个微小的RVE）的电磁屏蔽问题？或者反过来说，材料微观组织结构（简化成一个微小的RVE）能否进行电磁屏蔽方面的计算（主要是尺度问题）？
估计得用节点法（MPV）3—D谐波磁场分析吧
估计得用节点法（MPV）3—D谐波磁场分析吧盼回复！
盼望大家给点建议！怎样预测有这种微结构的复合材料的屏蔽效能？
怎样预测有这种微结构的复合材料的屏蔽效能？ 肯定是很复杂的，而且需要大量的计算不是一拍脑袋就行的
而且不同的排列（pattern，请看下文）、厚度应该对应不同的屏蔽频率范围。根据假设，用仿真结果验证假设。当然这是个迭代的过程。首先有个初步结果，然后提出假设，再验证。现在啥都没有，就全靠想 啊
如果你想做的是下文这一类的，斯坦福做得很好，他们有高材料和高频电磁的人一起做。手机、集成电路里面都能应用。
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